PHB,PHD,PHU108NQ03LT دیتاشیت

PHB,PHD,PHU108NQ03LT

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PHB,PHD,PHU108NQ03LT
حجم فایل 104.091 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 14

دانلود دیتاشیت PHB,PHD,PHU108NQ03LT

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: NXP USA Inc.
  • Series: TrenchMOS™
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Obsolete
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3nC @ 4.5V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375pF @ 12V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: I-PAK
  • Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Base Part Number: PHU10
  • detail: N-Channel 25V 75A (Tc) 187W (Tc) Through Hole I-PAK

محصولات مشابه